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分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

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在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２。

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来源
《半导体学报》 |1998年第8期|561-564|共4页
作者
林峰; 盛篪; 龚大卫; 刘晓晗;
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作者单位

复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;TN304.054;
关键词
分子束外延; 硅; 外延生长; 二氧化硅; 超晶格;

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