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刘忠立;
中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室;
MOS电容; 电离辐射; 陷阱电荷; 二氧化硅;
机译:离子注入MOS电容器中的空穴陷阱和电荷:对电离辐射的敏感性
机译:氧化物和界面陷阱中高陷阱电荷产生的场效应对MOS电容器和MOSFET的影响
机译:电离辐射对带有薄栅氧化物的磷注入N / sup + /多晶硅栅MOS电容器的影响
机译:使用三脉冲CV技术研究LaLuO_3堆叠MOS电容器中的电子和空穴电荷陷阱
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:揭示碳材料结构的影响MoS2的超级电容器的电荷存储机制研究
机译:mOs电容器中电离辐射引起的电荷俘获的闭环补偿
机译:用pump-probeCharge积分技术研究mOs电容器的陷阱发射动力学
机译:具有理想电荷转移的HV MOS / HV MOS开关电容器电荷泵
机译:MOS电容器和带有MOS电容器的电荷泵
机译:用于非易失性数据存储的自对准电荷陷阱层,形成该电荷陷阱层的过程以及包含该电荷陷阱层的设备
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