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MOS capacitor and charge pump with MOS capacitor

机译:MOS电容器和带有MOS电容器的电荷泵

摘要

A MOS capacitor in a charge pump includes a MOS device with at least one body bias region and a device body of a same conductivity type for providing maximum capacitance over a wide voltage range. The MOS capacitor also includes a gate forming a first terminal of the MOS capacitor, and the at least one body bias region forms a second terminal of the MOS capacitor. The MOS capacitor further includes a multiple-well structure formed with the device body and a deep well in a substrate for enhanced noise immunity.
机译:电荷泵中的MOS电容器包括具有至少一个本体偏置区域的MOS器件和具有相同导电类型的器件本体,以在较宽的电压范围内提供最大电容。所述MOS电容器还包括形成所述MOS电容器的第一端子的栅极,并且所述至少一个本体偏置区域形成所述MOS电容器的第二端子。 MOS电容器还包括由器件主体和衬底中的深阱形成的多阱结构,以增强抗噪声能力。

著录项

  • 公开/公告号US2010226166A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANG-HEE JUNG;YOUNG-KWAN KIM;

    申请/专利号US20090454121

  • 发明设计人 SANG-HEE JUNG;YOUNG-KWAN KIM;

    申请日2009-05-13

  • 分类号G11C11/24;G11C5/14;G05F1/10;H01L29/94;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:53:02

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