InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究

摘要

本文报道采用双光束光致发光手段研究 Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ／ Ｇａ Ａｓ 本征样品及 ４ 种不同位置 δ掺杂样品．观察到了由 Ｈｅ Ｎｅ 激光导致的激光强度随附加的第二束激发光（白光）强度变化而演变的现象．实验结果显示，未掺杂样品的光致发光增量较大；单边、双边掺杂样品的光致发光强度变化趋势一致；而阱中中心掺杂、界面掺杂样品随着白光强度的增强出现饱和趋势．