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余学功; 杨德仁; 马向阳; 李立本; 阙端麟;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
硅单晶; 直拉硅; 掺氮; 空洞型缺陷; 半导体; Voids缺陷; 流水花样缺陷;
机译:生长微缺陷形成的扩散模型,用于描述热处理硅单晶中缺陷的形成
机译:应用生长微缺陷形成扩散模型描述热处理硅单晶中的缺陷形成
机译:使用生长微碎片形成的扩散模型描述热处理硅单晶中的缺陷形成
机译:n型3C-SiC / SiO_2中的界面缺陷:氧化多孔碳化硅单晶的EPR研究
机译:电子缺陷型碳二亚胺的产生及其在胍形成,两性离子1,3-二氮杂-克莱森重排中的应用。
机译:亚微摩尔铜(II)离子可刺激野生型但不包括Cav2.3缺陷型小鼠的分离视网膜中的视网膜信号转导
机译:氮掺杂物与石墨烯中的原生点缺陷之间的相互作用
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:通过用与营养缺陷型互补的DNA转化营养缺陷型突变体来制备可用于重组蛋白制备的重组原生生物
机译:包含氮杂内酯型化合物的异构体的混合物的药物组合物,以及该组合物在治疗或预防哺乳动物中细菌或原生动物感染中的用途。
机译:氮杂金刚烷衍生物及其在治疗或预防由α7烟碱型乙酰胆碱受体和α4β2烟碱型乙酰胆碱受体调节的疾病,病症或缺陷中的用途。
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