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麦振洪; 崔树范; 傅全贵; 林汝淦; 张金福;
无;
机译:直拉法生长硅单晶的微缺陷尺寸
机译:用直拉法分析硅单晶生长过程中点缺陷和腔缺陷形成能的第一性原理(掺杂类型和浓度依赖性)
机译:生长微缺陷形成的扩散模型,用于描述热处理硅单晶中缺陷的形成
机译:缺陷增长分布的数值分析确定直拉硅单晶中的环-OSF位置
机译:PVT生长的4H-碳化硅单晶中扩展缺陷的演变。
机译:在非均匀磁场作用下含有运动性回旋微有机体的纳米流体通过非线性垂直拉伸片的流动和传热分析;数值方法
机译:直拉生长硅单晶的晶体缺陷研究
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:控制直拉硅单晶棒缺陷的方法
机译:用于硅半导体的低氧浓缩硅单晶的制造涉及通过水平磁场型直拉法对原料硅进行硅单晶拉伸
机译:观察缺陷选择处理方法,缺陷观察方法,观察缺陷选择处理设备,缺陷观察设备
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