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史向华; 王兴军; 俞根才; 侯晓远;
长沙电力学院物理系;
复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
分子束外延; Zndse/ZnsxSe1-x; 超晶格; 光学特性; X射线衍射谱; 光致发光性质; 硒化锌; 锌硫硒混合物;
机译:ZnSe中间层对分子束外延生长(CdS / ZnSe)/ BeTe超晶格性能的影响
机译:IN_2SE_3 /(BI_(1-X)IN_X)的增长和特性2SE_3超晶格与分子束外延的不对称梯度界面
机译:GaAs缓冲外延层上分子束外延生长的(BeTe / ZnSe)超晶格的高分辨率X射线衍射(HRXRD)和透射电子显微镜(TEM)研究
机译:分子束外延生长ZnS / ZnSe应变层超晶格的结构研究
机译:硅(1-x)锗(x)/硅量子阱和超晶格的光学特性,用于设备应用。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:分子束外延和原子层分子束外延生长的(113)GaAs / AlAs超晶格的光学性质
机译:分子束外延生长Zn(1-x)mn(x)Te的生长和光学表征
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
机译:具有p型ZnSe层的分子束外延电磁辐射换能器中IIB-VIA半导体的掺杂
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
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