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邢伟荣; 刘铭; 吴卿; 周立庆;
中国有色金属学会;
中国电子学会;
半导体超晶格材料; 分子束外延; 去氧化层工艺; 缓冲层优化; 界面质量;
机译:通过分子束外延在GaSb(311)B上生长的II型InAs / GaSb超晶格,用于长波长红外应用
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:分子束外延生长的GaAs基InAs / GaSb超晶格短波红外探测器
机译:分子束外延生长用于红外探测器的II型InAs / GaSb超晶格
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:通过分子束外延在GaAs基材上生长在GaAs基材上的中空和龙波INAS / GASB超晶格的电气性质
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究
机译:用于II型InAs / GaInSb超晶格外延材料的蚀刻剂
机译:II型InAs / GaInSb超晶格外延材料的蚀刻剂
机译:有机金属气相外延制备的InAs / GaSb超晶格结构红外探测器
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