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刘祥林; 汪连山; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 林兰英;
中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室;
氮化镓; 缓冲层; MOVPE; 外延生长;
机译:使用氮化铝和3C-SiC缓冲层在邻近Si(001)衬底上生长的半极镓氮化物层中的位错反应
机译:用于氮化镓外延的氧化镓缓冲层
机译:氮化工艺对RF-MBE在AlGaAs缓冲层上生长立方立方氮化镓薄膜质量的影响
机译:使用稀土氧化物缓冲层的可扩展硅上氮化镓
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:用于分离自由氮化镓膜的非晶碳的缓冲层
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:用于制造发光二极管的高导电性无撕裂氮化镓基缓冲层的生产包括使用具有氮化硅层的III族氮化物缓冲层,以及掺杂施主
机译:用于垂直结构氮化物基半导体发光器件的氮化物基化合物层的制造涉及从氮化镓衬底上的缓冲层到掩模层横向生长氮化物基化合物。
机译:关于形成氮化铟镓(InGaN)外延薄膜的方法,以InN形成氮化镓缓冲层
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