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徐静平; 黎沛涛;
华中理工大学电子科学与技术系;
香港大学电机电子工程系香港薄扶林道;
n-MOSFETs; GIDL; 热载流子应力; 退化;
机译:高能尾电子是深亚微米N-MOSFET最坏情况下热载流子应力退化的机理
机译:AC / DC组合应力作用下热载流子引起的再氧化氮氧化物n-MOSFET退化的机理
机译:AC / DC应力下NMOS和PMOS热载流子引起的退化的AC / DC特性
机译:MOSFET的交流热载流子应力导致退化加剧的机理分析
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:磁性半导体中载流子感应铁磁性的机理
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子注入(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:集成有感应放大器的FET存储器-使用低电源电压以避免热载流子应力
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