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刘英; 陈难先;
北京科技大学应用物理研究所;
第一性原理; 陈氏三维晶格反演; 原子间相互作用势; 晶格动力学; 半导体; 碳硅锗三原子间;
机译:三元氢化物Li_4Si_2H(D)和Li_4Ge_2H(D)的中子振动光谱法和第一性原理计算:电子结构和晶格动力学
机译:Ge(001)表面上Si-Ge和Sn-Ge二聚体散射势的第一性原理计算
机译:用于经典晶格动力学模拟的Ge _((1_x_y))Si_xSn_y三元合金半导体原子间势的发展
机译:应变对Ge原子在Si和Ge(001)表面扩散的影响的第一性原理计算
机译:广义的第一性原理假势方法对锌的晶格动力学。
机译:P42 / ncm相中Si-Ge合金的理论研究:第一性原理计算
机译:三元氢化物Li4Si2H(D)和Li4Ge2H(D)的中子振动光谱法和第一性原理计算:电子结构和晶格动力学
机译:Li1 + xV3O8原子结构和电化学势的第一性原理计算。
机译:3D:Si SiGe Ge原子层刻蚀3D结构:水平和垂直表面上的SI和SIGE和GE光滑度
机译:利用原子外延法制造Si层,Ge层和Si-Ge层的方法
机译:-使用原子外延方法制造Si层Ge层和Si-Ge层的方法以及形成该层的设备
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