机译:应变对(001)表面上Si和Ge的同质和异质外加原子吸附和扩散的影响
机译:通过氢原子部分终止的V_6缺陷在石墨烯表面扩散Li原子的第一性原理计算
机译:根据第一性原理计算,Ga原子在GaAs(001)-c(4 X 4)表面上的结合位点和扩散壁垒
机译:第一原理计算菌株对Si和Ge(001)表面葛吸附剂扩散的影响
机译:硅中自扩散,砷扩散和表面偏析的第一性原理计算。
机译:氢在V(1 0 0)表面和整个空间中的吸附解离和扩散特性的研究:第一性原理计算
机译:应变对Ge原子在Si和Ge(001)表面扩散的影响的第一性原理计算