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宋建军; 张鹤鸣; 戴显英; 胡辉勇; 宣荣喜;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
西安710071;
应变硅; K.P法; 能带结构;
机译:(001),(101)和(111)双轴应变Si和应变Si1-xGex材料中孔的有效质量的方向,平均和密度
机译:应变Si1-xGex(001)的电子迁移率模型
机译:在应变Si1-xGex层上生长的自形成Ge(Si)/ Si(001)岛的光致发光特征
机译:高应变金属栅技术中电容特性的建模研究:Si / SiO_2 / HK界面层和能带结构模型的影响
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:准分子激光晶体化的Si1-xGex薄膜晶体管的电学和结构特性
机译:Ge(si)(001)虚拟衬底上si(001)和Insb上si1-xGex和Ge缓冲层的应变弛豫研究。
机译:si(001)衬底上生长的假晶si1-xGex合金的空穴传输理论。
机译:利用激光退火形成应变SI通道和SI1-XGEX源/漏结构
机译:利用激光退火形成应变硅沟道和Si1-xGex源/漏结构
机译:用应变松弛的Si1-xGex层抛光半导体晶片的方法
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