SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应

刘书焕; 林东生; 郭晓强; 刘红兵; 江新标; 朱广宁; 李达; 王祖军; 陈伟; 张伟; 周辉; 邵贝贝; 李君利

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测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.

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来源
《半导体学报》 |2007年第1期|78-83|共6页
作者
刘书焕; 林东生; 郭晓强; 刘红兵; 江新标; 朱广宁; 李达; 王祖军; 陈伟; 张伟; 周辉; 邵贝贝; 李君利;
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作者单位

清华大学工程物理系;

西北核技术研究所;

中国电子科技集团第13研究所;

清华大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.2;
关键词
SiGe; HBT; 辐射效应; 反应堆;

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