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利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

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摘要

ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果．

著录项

来源
《半导体学报》 |1999年第5期|433-436|共4页
作者
刘忠立; 和致经; 于芳; 张永刚; 郁元桓;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
CMOS/SOS器件; SOI系统; 固相外延技术;

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