退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
周静; 王琦; 熊德平; 蔡世伟; 黄辉; 黄永清; 任晓敏;
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876 北京邮电大学继续教育学院,北京,100876 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876 北京邮电大学继续教育学院,北京,100876 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;
异质外延; InP; GaAs; MOCVD; 低温缓冲层;
机译:利用MOCVD对InP / GaAs衬底上InP外延横向过生长的表面表征
机译:GaAs 0.5Sb_0.5和kIn 0.53Ga_0.47As / GaAs 0.5Sb_0.5的II型单异质结构与分子束外延生长的InP k衬底晶格匹配
机译:基于异质结构的InP砷化镓(GaAs)/的InP激光辐射的光电转换器,通过液相外延得到
机译:通过固体源分子束外延在GaAs上生长在GaAs上的变质INP / InGaAs双异质结双极晶体管结构
机译:MOCVD在平面和纳米硅衬底上InP的异质外延优化。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:基于碳掺杂的GaAs和InP的异质结双极晶体管的生长和表征
机译:mOCVD生长的Gaas异质结太阳能电池中alGaas / Gaas界面的正电子湮没光谱
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:Nb-GaAs异质外延膜和GaAs-Nb-GaAs双异质外延膜的生产方法无效
机译:在GaAs半绝缘衬底上异质外延沉积InP的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。