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SU-8胶深紫外光刻模拟

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摘要

综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.

著录项

来源
《半导体学报》 |2007年第9期|1465-1470|共6页
作者
冯明; 黄庆安; 李伟华; 周再发; 朱真;
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作者单位

东南大学MEMS教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光波传播;
关键词
SU-8胶; 光刻模拟; 显影轮廓;

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