退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
于振瑞; 杜金会; 张加友; 李长安; Aceves M;
南开大学光电子研究所;
军事交通学院基础部;
Department of Electronics;
富硅氧化硅; 电荷俘获效应; C-V测试; 诱导pn结;
机译:HfO2 / Al2O3和ZrO2 / Al2O3基多层金属/高k /氧化物/ Si结构中电荷俘获的比较研究
机译:Fe_3O_4 / SiO_2 / N-Si和Fe_3O_4 / SiO_2 / P-Si结构中横向光电压效应的比较研究
机译:量子霍尔效应条件下掺Si的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层在GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As异质结构高频电导中的作用
机译:具有Si 3 inf> N 4 inf> / Hf x inf> Al 1-x inf> O堆电荷俘获层的电荷俘获闪存器件
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:通过原位氟掺杂原子层沉积al2O3栅极电介质控制E模式和D模式GaN-on-si金属 - 绝缘体 - 半导体异质结构场效应晶体管中的阈值电压
机译:al2O3和siO2薄膜中的电荷俘获效应。
机译:具有横向扩展结构的横向DMOS结构可减少栅氧化物中的电荷俘获
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。