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金冬月; 张万荣; 谢红云; 王扬; 邱建军;
北京工业大学电子信息与工程控制学院;
北京;
100022 北京工业大学电子信息与工程控制学院;
100022;
异质结双极晶体管; 热电模型; 发射极镇流电阻;
机译:基于Volterra级数失真分析的高线性InGaP / GaAs功率HBT发射镇流电阻设计。
机译:精确外推InGaP / GaAs HBT安全工作区(SOA)的方法,以改变发射极面积和镇流电阻的尺寸
机译:发射极镇流HBT的热稳定性
机译:等值发射极镇流电阻的多指功率GeSi HBT优化设计
机译:适用于高速和RF功率应用的基于磷化铟的异质结双极晶体管:先进的发射极基极设计。
机译:基于带划分设计矩阵的贝叶斯回归模型的部分非均匀动态贝叶斯网络
机译:基于遗传算法的感应粘接过程均匀加热电阻式受体设计
机译:基于低发射极电阻Gaas的HBT没有InGaas帽
机译:具有多个具有不同发射极镇流电阻的HBT的半导体器件
机译:具有多个发射极镇流电阻不同的HBTS的半导体器件
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