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张国炳; 武国英; 徐立; 郝一龙; 隋小平; A.P.Clarke; P.J.Clarke; M.D.Strathman; T.Gates; S.Baumann;
北京大学微电子学研究所;
Sputtered Films Incorporated;
USA;
Chales Evans & Associates;
TiWN薄膜; 扩散; 反应溅射; 集成电路;
机译:互补金属氧化物半导体硅存储节点电极扩散势垒反应溅射Ti_(1-x)Al_xN薄膜的性能
机译:具有非晶扩散势垒的Al-TiW-PtSi / n-Si肖特基势垒二极管中正向和反向偏置电流-电压特性的温度依赖性
机译:使用X射线反射率研究优化有机发光二极管原子层沉积扩散势垒的势垒性能
机译:ALCVD法沉积WN / sub x / C / sub y /薄膜用于金属化过程中的扩散势垒
机译:通过硅通孔工艺集成,集中在扩散势垒,背面处理和电气特性上
机译:介电势垒放电沉积的等离子体聚合a-C:H薄膜的光谱研究
机译:摘要摘要:反应溅射RuO2和Mo–O扩散势垒
机译:薄膜金薄膜在肖特基势垒太阳能电池中的光学特性
机译:薄膜扩散势垒
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