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公开/公告号CN112088417A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 科磊股份有限公司;
申请/专利号CN201980030536.9
发明设计人 F·希尔;G·德尔加多;R·加西亚;G·洛佩兹;M·罗梅洛;K·艾奥凯密迪;Z·马克斯;
申请日2019-05-24
分类号H01J1/304(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人刘丽楠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 09:10:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-03
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 1/304 专利申请号:2019800305369 申请公布日:20201215
发明专利申请公布后的驳回
机译: 电子发射器的金属保护层,具有扩散屏障
机译: 带有扩散栅栏的电子发射器的金属保护层
机译:高性能存储器件中具有多扩散势垒金属的低电阻钨双多金属栅极
机译:用于RERTR应用的势扩散势垒Mo和U-Mo金属燃料合金之间的互扩散
机译:具有AlGaAs平面掺杂势垒的新型电子发射器
机译:具有准金属氧化物半导体(MOS)/金属绝缘体金属(MIM)电子发射器的微等离子体晶体管
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:具有隧道势垒的金属绝缘子 - 金属单电子晶体管由原子层沉积制备
机译:精密肖特基数据在热离子发射器金属真空表面势垒分析中的应用:I-Rhenium