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石晓红; 陈忠辉; 黄醒良; 史国良; 刘普霖; 沈学础;
上海微结构科学和技术高等研究中心红外物理国家重点实验室;
硅锗合金; 半导体材料; 光电导谱; 杂质;
机译:第一性原理在Si / Si_(1-x)Ge_x异质结构和Si_(1-x)Ge_x合金中电子相关的热电性质
机译:应变Si_(1-x)Ge_x,Si_(1-x-y)Ge_xC_y和Si_(1-y)C_y合金材料-器件应用中的镍硅化技术
机译:自旋极化光发射研究外延Si_(1-x)Ge_x合金
机译:低电阻率的锗硅化镍与超浅结的接触,该浅结由用于纳米级CMOS的选择性Si_(1-x)Ge_x技术形成
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:磁场对Ga1-xInxNyAs1-y / GaAs量子阱中浅施主杂质的杂质结合能的影响
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:半导体器件,特别是光伏探针,其具有基于cd深x hg深1-x te合金的衬底,及其制备方法
机译:与n-Al x?Ga 1-x?As的浅欧姆接触
机译:与n-Al x Ga 1-x As的浅欧姆接触
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