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沈文娟; 王俊; 段垚; 王启元; 曾一平;
中国科学院半导体研究所材料中心;
金属有机化学气相沉积; X射线衍射; 锌化合物; 光致发光谱;
机译:退火温度对真空沉积法在n-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜和Pd / ZnO肖特基接触的性能的影响
机译:AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积在c蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响
机译:不同退火气氛对在p-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜的表面和微结构性能的影响
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:Si(111)衬底上ZnO / GaN异质结构纳米柱状薄膜的制备及性能
机译:通过退火GaN / ZnO薄膜在Si衬底上自组装GaN纳米棒,纳米粒子和纳米管的生长和性能
机译:用于鲁棒微机电系统应用的低应力非晶si3N4 / si衬底上siC薄膜的生长和掺杂
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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