90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度

摘要

研究了SMIC90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(randomtele-graph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.