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阮英超;
黑龙江大学;
机译:Ⅱ型交错隧穿结的GaAsBi / GaAsN隧穿场效应晶体管的理论研究
机译:II型交错隧穿结的晶格匹配SiGeSn / GeSn p沟道隧穿场效应晶体管性能增强的理论计算
机译:SiC结场效应晶体管温度传感器:理论分析和实验验证
机译:圆柱型全栅无结型场效应晶体管的亚阈值摆幅的综合分析研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
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机译:各种异质结场效应晶体管结构存取区隧道电流的理论研究
机译:最大增益,低电流结型场效应晶体管结构的分析与设计
机译:SIC结型场效应晶体管和SIC互补结型场效应晶体管
机译:结型场效应晶体管和包含结型场效应晶体管的互补电路
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