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徐自有; 武传欣; 曼茂立; 张震;
西安电子科技大学;
带隙基准; 分段曲率补偿; 温度系数;
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:具有自动曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源
机译:具有65nm CMOS工艺的MOS晶体管曲率补偿的高精度带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:超薄高带隙太阳能电池采用世界上最古老的光伏材料具有更高的效率
机译:采用32nm FinFET技术的低于1V的带隙基准电压源
机译:新型直接带隙半导体的合成,表征,性能和性能;最终的评论。 2004年7月15日至2005年10月15日
机译:开关电容器,曲率补偿带隙基准电压源
机译:曲率补偿带隙基准电压源
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