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楼滨乔; 薛志华;
不详;
HCMOS器件; γ辐射效应; 退火效应;
机译:低剂量率行为的电子组件预览(HCMOS器件)
机译:优化器件时钟方案,以最小化电荷耦合器件中的辐射损伤效应
机译:单壁碳纳米管基薄膜晶体管和逻辑器件的辐射效应和辐射硬度解决方案
机译:HCMOS器件的详细硬度评估
机译:基于超宽带隙A1N和β-GA2O3的电子设备:器件制造,辐射效应和缺陷表征
机译:用于五个手持牙科X射线器件的杂散辐射的杂散辐射
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:JFET / sOs(结型场效应晶体管/硅蓝宝石)器件:γ辐射诱导效应
机译:具有硅锗碳化合物半导体层的HCMOS器件的形成方法
机译:磁阻效应器件包括在基板上依次层叠的氮化物底层,反铁磁层,第一铁磁层,非磁性层和第二铁磁层,包括该磁阻效应器件的磁头以及包括该磁阻效应器件的信息存储装置同一磁头
机译:掺杂霍尔效应器件的有源霍尔效应区的方法和具有掺杂的有源霍尔效应区的霍尔效应器件
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