邻苯二甲酸氢钾（KAP）单晶极轴正向锥面的正电子湮没寿命谱研究...

摘要

本文首次报导了用电子湮设寿命谱学法对KAP单晶极轴正向四个锥正电子湮没参数进行分析,发现在(?),(?)面第一、二类陷阱捕获率K_d、K^D均比(?),(?)面大,于是得出(?),(?)面的位错密度、点缺陷以及包裹体的“微空洞”密度均比(?),(?)大。为此,对KAP生长机理作了讨论。在此基础上,本文还简要地报导了KAP单晶生长技术、为生长优良战水溶液极性晶体,提供参考依据。