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赵银女;
鲁东大学教务处,山东烟台264025;
Sn掺杂Ga1.375In0.625O3; 电子结构; 第一性原理; 掺杂位置;
机译:Cl掺杂ZnO透明导电氧化物的第一性原理和玻尔兹曼方程研究
机译:In掺杂的ZnO透明导电氧化物的第一性原理LDA + U研究
机译:镓和铟共掺杂的ZnO作为Cu_2SnS_3光电探测器的透明导电氧化物
机译:脉冲激光沉积制备的透明导电氧化物Sn掺杂ZnO薄膜物理性质的研究
机译:通过调制掺杂的氧化锌/氧化锌镁薄膜改善了透明导电氧化物。
机译:Al掺杂ZnO和Ga掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的比较研究
机译:SN掺杂ZnO透明导电氧化物的AB Initio研究
机译:p型透明导电氧化物的电子结构和掺杂
机译:非晶态透明氧化物膜,Sn-Zn-O氧化物烧结体,非晶态透明氧化物膜的制备方法以及Sn-Zn-O氧化物烧结体的制备方法
机译:能够在电解过程中转换氧气的电极包括由阀金属氧化物组成的保护层和由IR,SN和至少一种掺杂剂M混合氧化物组成的加泰罗尼亚层,其中IR /(IR + SN)为0.25-0.55和M /(IR + SN + M)为0.22-0.15 M;我有生产和电镀方法。
机译:锌掺杂的基于氧化钛的透明导电氧化物多层透明导电膜及其制备方法
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