KH-SiO2/PES/BMI-F51复合材料的介电性能

摘要

采用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-560)修饰纳米二氧化硅(nano-SiO2)获得改性纳米二氧化硅(KH-SiO2).以酚醛环氧树脂(F51)和双马来酰亚胺(BMI)作为基体,添加4％(质量分数,下同)聚醚砜(PES)和不同含量(0.5％ ～2.5％)的KH-SiO2,制备KH-SiO2/PES/BMI-F51多相复合材料.红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜结果表明:纳米SiO2表面修饰效果良好,纳米粒子团聚倾向减弱,粒径减小,比表面积增大.介电性能测试结果表明:随着K H-SiO2掺杂量的增加,材料的介电常数先降低后升高,介电损耗没有明显变化,体积电阻率和击穿强度先升高后降低.当KH-SiO2掺杂量为1.5％ 时,10Hz下介电常数和介电损耗角正切分别为4.55和0.0029,体积电阻率和击穿强度分别为1.74×1014Ω·m和29.11kV/mm,比树脂基体提高了68.9％ 和35.9％.