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史尚钊; 孟繁萍;
[1]洛阳工业高等专科学校材料工程系;
[2]洛阳市半导体二厂;
微波加热; 半导体; 扩散;
机译:关于在7-50 kc / s频率范围内测量结型晶体管噪声的讨论?????????,锗扩散结光电二极管,电池?????????,?????????晶体管功率放大器?????????,????????晶体管dc转换器????????硅微波二极管中的噪声在1955年5月11日的无线电和测量部门的联席会议之前
机译:作者对有关在频率范围为7-50 kc / s的结型晶体管噪声的测量的讨论作出了答复。锗扩散结光电电池晶体管功率放大器晶体管直流转换器????????硅微波二极管中的噪声
机译:低于50 nm的硅金属氧化物半导体器件通过自旋掺杂剂中砷的固相扩散,在绝缘体上硅上形成超浅且突变的n〜+ -p结
机译:具有PN结的半导体的扩散模型的拟中性极限
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:硅PN结保护膜I.通过HF-NO2混合气体。形成由硅细晶制成的彩色薄膜及其在PN结表面稳定膜上的应用
机译:异质结构单晶硅光伏电池:扩展。 a型,半导体异质结硅器件。最终报告,1978年5月15日 - 1978年8月10日
机译:n型半导体薄膜,均质pn结元件和薄膜太阳能电池的制造方法以及n型半导体薄膜和均质pn结元件
机译:N型半导体薄膜,均质PN结元件和薄膜太阳能电池,以及制造N型半导体薄膜和均质PN结元件的方法
机译:预测pn结形成过程中硅间隙对n型掺杂剂瞬态增强扩散的贡献的方法
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