磷扩散对晶体硅太阳电池发射结钝化和吸杂作用的研究

摘要

一直以来,有人认为磷扩散对晶体硅太阳电池只有发射结钝化,有人认为只有吸杂,还有的人认为两者皆而有之,但都没有形成统一认识.本文通过采用碘酒对晶体硅进行表面化学钝化,减少了表面复合对少子寿命的影响.通过对比在不同磷扩散条件下,扩散前、扩散后和腐蚀掉PN结之后少子寿命的变化,研究了磷扩散对晶体硅太阳电池发射结钝化和吸杂用的影响.其结果表明,当磷扩散在20～30Ω/□时,发射结钝化占主导地位,同时还有一定的吸杂作用.当采用40Ω/□磷扩散工艺时,我们得到了不同的结果.但有趣的是我们得到了腐蚀掉PN结之后的少子寿命比扩散后的少子寿命还要大很多的现象,似乎只有吸杂作用,但还需要进一步的研究.