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夏银水; 张秀淼;
宁波师范学院;
杭州大学;
少子扩散长度; pn结; 半导体材料;
机译:当材料在晶界两侧的扩散长度不同时,对多晶PN结的电子束感应电流进行分析
机译:用于扩散长度的电子束诱导电流的研制VLWIR HGCDTE和MWIR T2SL基光电探测器的扩散长度测定
机译:激子扩散长度和扩散系数对散装异质结有机太阳能电池中的光物理参数的依赖性
机译:在包括硼扩散的全太阳能电池过程之后,电视型多晶硅晶片600瓮的平均平均扩散长度优异
机译:核磁共振扩散法测定先进纳米多孔膜和催化剂中轻气体的扩散
机译:基于植物 - 食物模型的Co / Cu多层异质结纳米纤维蛋白钴旋转扩散长度的测定
机译:光诱导pn结型CH3NH3pbBr3钙钛矿太阳能电池中电子扩散长度的增加
机译:用调制光束同时测定少数载体的扩散长度,寿命和扩散常数
机译:用于半导体器件的隔离结构,其包括与相邻阱形成PN结的双扩散隔离区和下方的隔离区
机译:具有低电阻外围扩散区触点和低PN结失效记忆扩散触点的集成mosfet器件
机译:具有低载流子密度氧化物钝化的硅芯片-防止与扩散区相邻的PN结两侧的空间电荷区明显变窄
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