多孔硅的拉曼光谱研究

摘要

本文研究了多孔硅的拉曼光谱随激发激光功率的变化,发现当激发光的功率较低时,多孔硅的拉曼光谱在520cm-1附近为一单峰.随着激光功率的增加,该单峰向低波数移动且半高宽增大,当继续增大激光功率时,该单峰分裂为双峰,位于低波数一侧的拉曼峰随着激光功率的增大而进一步向低波数移动.多孔硅的拉曼光谱随着激光功率的变化是一个可逆的过程.这一结果表明,低波数拉曼峰的位置既不能作为多孔硅颗粒尺寸的量度,也不能只把低波数的拉曼峰作为多孔硅的特征.我们认为激光诱导多孔硅中LO和TO声子模的简并解除是观察到双峰的主要原因.