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王洪岩; 王中文;
辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036;
UDMOSFET; 导通电阻; 特征电阻;
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:Gan-On-Si Hemts中的动态导通电阻:起源,依赖性和未来的特征框架
机译:E模式GaN-Hemts在反向电流导通应力下栅极阈值电压不稳定性和导通电阻劣化
机译:具有重叠栅极结构的高导通电流,低导通电阻的垂直2DHG金刚石MOSFET
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:在ERT(电阻层析成像)物理模型中土壤含水量对电阻率/类型电阻率值的影响。
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2
机译:具有自对准特征的沟槽MOSFET结构,可节省掩模并降低导通电阻
机译:半导体元件的导通电阻的测定方法以及半导体元件的导通电阻的测定装置
机译:半导体元件的导通电阻的测定方法及半导体元件的导通电阻的测定装置
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