用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜

摘要

用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和Si O2/Si衬底上,用离子束增强沉积（IBED）方法对沉积膜作Ar＋/N＋注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜。初步研究了I NZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化。