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掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究

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通过对SiO2∶Nd的PL谱分析,并与SiO2∶La、SiO2∶Ce、Si+SiO2、C+SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性

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来源
《井冈山大学学报》 |2002年第5期|P.4-610|共4页
作者
夏秀文; 王水凤; 元美玲;
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作者单位

井冈山师范学院物理系;

南昌大学物理系;

南昌大学物理系江西吉安343009;

江西南昌330047;

江西南昌330047;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
硅基氧化膜发光; 光致发光; 稀土掺杂;

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