半导体激光对骨肉瘤多药耐药细胞株增殖的影响

摘要

目的:探讨波长为532 nm半导体激光对体外培养骨肉瘤多药耐药细胞株(R-OS-732)增殖的影响.方法:实验分4个实验组和1个空白对照组.实验组在特定功率半导体激光功率下根据照射时间分为A、B、C和D组(输出功率为200 mW,照射时间分别为5、10、20和40 min),分别于照射后24 h及48 h进行观察.空白对照(D组除不加激光照射外其他条件与实验组完全相同.采用MTT比色法观察R-OS-732细胞增殖情况,并通过光镜观察细胞形态学变化.结果:在532 nm波长、输出功率200 mW半导体激光照射条件下,A、B、C及D组与E组相比,细胞存活率明显降低,并有随照射剂量增加而加剧的趋势(P＜0.05);光镜观察见细胞贴壁生长减少,细胞密度变小.结论:在一定波长、能量密度及照射时间的条件下,低能量半导体激光照射可导致体外培养骨肉瘤多药耐药细胞增殖受抑.