离子刻蚀工艺对聚合物阵列波导光栅理论模拟的影响

摘要

选用五氟苯乙烯与甲基丙烯酸环氧丙酯(PFS-co-GMA)的共聚物作为波导材料,运用铝掩膜结合反应离子刻蚀(RIE)技术的方法,设计并制备了阵列波导光栅(AWG)波分复用器件.在制备过程中,由于侧向的刻蚀作用难以得到规则的矩形截面,得到的是梯型截面.针对该工艺水平和梯形截面波导的特点,提出了梯形截面波导等效能流分析方法.实验测试和分析结果表明:初始设计AWG器件的中心波长为1550.918 nm,制作的器件实际中心波长为1550.826 nm,传输光谱的漂移为0.092 nm.而等效能流分析方法得到的AWG器件的中心波长为1550.872 nm,传输光谱的漂移为0.046 nm.该方法与实验测试结果吻合得更好.