共溅射磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究

摘要

采用共溅射磁控溅射方法,以Al+Er为靶材,通过Er和Al靶的面积比来控制Er在AlN中的含量,在Si衬底上制备出AlN:Er薄膜.XRD分析结果表明,样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量被控制在1atm%左右,氧不可避免.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征.其中,尖荧光峰谱源于Er3+的4f轨道直接激发跃迁;而宽谱则可能与Er3+的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.