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一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法

摘要

本发明公开了一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法,先按照PBZ即锆酸铅钡的化合物分子式(Pb1‑xBax)ZrO3其中03O4、BaCO3、ZrO2三种原料进行混合,再一次球磨、预烧、二次球磨,采用等静压技术压片成型为直径为40~100mm的坯体,排胶后坯体于1100‑1300℃烧结,制得磁控溅射用PBZ靶材。本发明首次采用固相法制得PBZ靶材,可以满足不同尺寸要求的磁控溅射用的PBZ靶材,以制备不同性能要求的PBZ薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN104591729B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201410827242.8

  • 申请日2014-12-26

  • 分类号C04B35/48(20060101);C04B35/622(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人张宏祥

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/48 申请日:20141226

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    公开

    公开

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