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彭同江; 焦永峰; 刘海峰; 马国华;
西南科技大学,分析测试中心,四川,绵阳,621010;
江苏省陶瓷研究所有限公司,江苏,宜兴,214221;
堇青石; 掺杂; ZnO; 红外辐射率; 粉体;
机译:旋涂Al和In掺杂和(Al / In)共掺杂ZnO薄膜对近红外等离子体的掺杂效果研究
机译:ZnO基表面等离子体共振气体传感器的研制及紫外辐照对ZnO薄膜中NO2解吸的影响
机译:掺杂,共掺杂和缺陷对ZnO基透明导电氧化物的等离子体活性的影响
机译:掺杂ZnO纳米材料的合成与表征:在第三代太阳能电池中的潜在应用
机译:远红外陶瓷粉基高发射率复合薄膜的性能及应用
机译:ZnO基表面等离子体共振气体传感器的研制与ZnO薄膜No2解吸的UV辐射效应分析
机译:杂质掺杂硅mOsFET(IRFET)的红外响应:镓掺杂红外传感mOsFET的制备和表征。
机译:制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO
机译:等离子体增强聚合技术的聚苯胺/镓掺杂ZnO异质结构器件:制备,表征和电性能
机译:等离子体增强的聚苯胺/镓掺杂的ZNO异质结构器件的制备,表征和电性能
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