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彭登峰; 邹华; 李俊; 曹秋凤; 惠新伟; 王旭升;
同济大学功能材料研究所,上海200092;
日本国立产业技术综合研究所,日本九州;
香港城市大学物理材料科学系,中国香港;
铁电体; Aurivillius结构; 光致发光; 传感器; 多功能材料;
机译:Pr掺杂的CaBi_2Nb_2O_9多功能铁电体的光致发光和介电特性
机译:Pr 3 + sup>掺杂的无铅铁电体(Bi 0.5 inf> Na 0.5 inf>)TiO 3的剩余极化诱导的光致发光增强 inf>陶瓷
机译:Pr掺杂的CaBi_2Ta_2O_9基铁电体的蓝激发光致发光
机译:高硅掺杂AlGaAs的温度依赖性光致发光研究及光致发光光谱与掺杂水平的关系
机译:多功能异质结构的外延生长和表征:集成铁磁体,铁电体,绝缘体和III-V半导体。
机译:Pr掺杂Ba0.85Ca0.15Ti0.90Zr0.10O3无铅陶瓷中电场的光致发光调制
机译:Pr3 + / Er3 +掺杂的0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07BaTiO3低温烧结多功能陶瓷的可调光致发光性能
机译:激发波长依赖和时间分辨光致发光研究铕掺杂GaN生长的中断生长外延(IGE)。
机译:铁电体膜和铁电体膜的制造方式,铁电体电容器和铁电体电容器的制造方式是由以下结构构成的铁电体膜的制造方式:
机译:铁电体和铁电体存储器以及使用该铁电体和铁电体存储器的铁电体存储装置通过电介质的图案形成而形成于电极上。
机译:铁电体膜,铁电体电容器,铁电体存储器,压电装置,半导体装置,铁电体膜的制造方法以及铁电体电容器的制造方法
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