硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究

摘要

采用第一性原理计算和实验研究了Si掺杂金刚石薄膜的形成过程.运用第一性原理计算了Si粒子在具有活性位的氢终止金刚石(001)表面上的吸附能和迁移激活能.结果表明,Si粒子在该表面上吸附能和迁移激活能均为3.0-4.7eV.因此,Si粒子可以在氢终止金刚石表面活性位上吸附并形成稳定结构.采用微波等离子化学气相沉积方法制备了Si掺杂金刚石薄膜,电子扫描电镜检测验证了理论计算结果.