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额尔敦朝; 肖景林;
内蒙古民族师院物理系;
极性晶体膜; 极化子; 自陷能; 砷化镓晶体膜; 弱耦合;
机译:荷斯坦分子晶体模型中的极化子有效质量,能带畸变和自陷
机译:通过集成到具有低光损耗的弱耦合InGaAsP布拉格波导中,可以有效降低传统1.5μm激光二极管的线宽
机译:研究用于InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管中自对准源极/漏极触点形成的Pd-InGaAs
机译:AlgaAs / GaAs异质结二极管和双极晶体管上的高导热钝化膜
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:弱耦合超导体中的极化子行为
机译:弱耦合Gaas / alGaas多层膜的量子化霍尔相中扩展态的光谱证据
机译:烷氧基取代二-2-噻吩基亚苯基聚合物中中性至极化子和极化子 - 双极子氧化还原事件的分离
机译:具有片上集成光子源或光子欧姆漏极的晶体管,以促进将陷于晶体管深阱中的电子去陷获
机译:放大30周期弱耦合半导体GaAs / AlGaAs超晶格的RF调制太赫兹辐射功率的方法
机译:包括达林顿连接中的功率晶体管和齐纳二极管的功率晶体管器件,该齐纳二极管耦合在功率晶体管的集电极和基极之间并形成在多晶硅膜中
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