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陈冬琼; 王海澎; 秦强; 邓功荣; 尚发兰; 谭英; 孔金丞; 胡赞东; 太云见; 袁俊; 赵鹏; 赵俊; 杨文运;
昆明物理研究所;
铟砷锑; 高工作温度; 势垒; 中红外;
机译:具有AlGaAsSb势垒层的基于InAsSb的中红外nBn光电探测器-在GaAs上生长,使用界面失配阵列,并在本机GaSb上生长
机译:体InAsSb中空穴的传输性质和势垒长波红外探测器的性能
机译:用于长波红外区域的基于InAsSb的变质势垒光电探测器
机译:双电子势垒结构用于抑制基于微结的Ⅱ型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器中的暗电流
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:基于微结的双电子势垒II型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器的暗电流降低
机译:电流阻挡势垒对2-6μmp-Gaas / alGaas异质结红外探测器的影响
机译:用于长波红外区域的变质Inassb基势垒光电探测器。
机译:肖特基势垒型红外探测器
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