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公开/公告号CN110911519A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-24
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201911093481.4
发明设计人 王芳;何家乐;胡伟达;王鹏;陈效双;陆卫;
申请日2019-11-11
分类号
代理机构上海沪慧律师事务所;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2023-12-17 07:30:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/107 申请日:20191111
实质审查的生效
2020-03-24
公开
机译: 红外辐射探测器-在操作温度下将汞扩散到碲化汞镉体内,形成N型层。
机译:铟砷锑苷和汞镉碲化物与长波长红外探测器材料的比较
机译:汞-镉-碲基红外焦平面阵列探测器光电特性的蒙特卡罗模拟
机译:碲镉汞薄层作为太赫兹和红外探测器
机译:用于红外探测器的多孔硅和镉 - 汞 - 碲化酰胺(CMT)异质结构
机译:碲化汞镉和第三代红外探测器的汞镉硒材料的表征
机译:基于微结的双电子势垒II型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器的暗电流降低
机译:红外半导体汞 - 镉 - 碲化物探测器的大信号分析
机译:远红外汞 - 镉 - 碲化物光电导探测器