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In1-x-yGaxAlyAs四元混晶的喇曼散射

         

摘要

报道了MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果.光学声子模的频率与强度的组分关系表明In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中有3种光学声子模,即类InAs、类GaAs和类AlAs模.喇曼光谱的偏振分析表明3种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的,而在偏振条件下是喇曼非活性的.由于混晶中的无序效应,可观察到泄漏的TO模叠加在LO的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》 |1998年第3期|187-191|共5页
  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    国立新加坡大学物理系,新加坡,119260;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 分析化学;
  • 关键词

    喇曼散射; 四元混晶; InGaAlAs;

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