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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究

     

摘要

简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器 的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的 阈值电流密度为5KA/cm2.%The preparation and main characteristics of the InGaAs/InAlAs quantum cascade laser were given. The device has a reinforced rid ge waveguide structure. The threshold current obtained at 80K is about 0.5A, an d the corresponding threshold current density is about 5kA/cm2.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》|2001年第1期|41-43|共3页
  • 作者

    张权生; 刘峰奇; 等;

  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所,;

    中国科学院半导体研究所,;

    中国科学院半导体研究所,;

    中国科学院半导体研究所,;

    Physics Departimet, Lancaster University, UK;

    Physics Departimet, Lancaster University, UK;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 4;
  • 关键词

    量子级联; 子带跃迁; 激光器;

  • 入库时间 2022-08-18 03:09:37

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