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黄晓东; 黄德修; 刘雪峰;
华中理工大学光电子工程系;
量子阱; InGaAsP; 四元系材料; 半导体; 热稳定性;
机译:压缩应变的InGaAsP / InGaAsP量子阱激光器结构中以1.55μm发射的量子阱混合过程的光反射研究
机译:InP衬底上BeZnCdSe四元系的MBE生长,MgSe / BeZnCdSe超晶格和量子阱结构
机译:InGaAs / InGaAsP / InGaP材料系统中的多带边量子阱混合
机译:InGaAsP,AlGaInAs和GaInNAs量子阱激光器在1.3 / spl mu / m操作下的热稳定性比较
机译:(铟,铝)共掺杂氧化锌作为量子阱多层热电材料的新型材料系统
机译:用于非石棉摩擦材料的纳米橡胶改性聚苯异种嗪复合材料的摩擦性能和热稳定性
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:单模注入激光器和四元材料的研究。第2卷:InGaasp结波导中电光效应的测量
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:一种最常在GaAs和InxGa(1-x)P层之间形成的InGaAsP上腐蚀四元界面层的化学物质
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